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体积小、耗能低,新型磁存储器件有望解决AI“内存瓶颈”

发布日期:2021-10-02 02:04浏览次数:
本文摘要:美国和意大利研究人员10日在《大自然电子》杂志上公开发表研究报告称之为,他们研发出有一种基于反铁磁材料的新型磁存储器件,其体积较小,耗电也非常低,很有可能有助解决目前人工智能(AI)发展所遭遇的内存瓶颈。 AI技术的较慢发展未来将会提高医疗保健、交通运输等多个领域,但其极大潜力的充分发挥要以充足的算力为基础,随着AI数据集更加大,计算机必须有更加强劲的内存承托。

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美国和意大利研究人员10日在《大自然电子》杂志上公开发表研究报告称之为,他们研发出有一种基于反铁磁材料的新型磁存储器件,其体积较小,耗电也非常低,很有可能有助解决目前人工智能(AI)发展所遭遇的内存瓶颈。  AI技术的较慢发展未来将会提高医疗保健、交通运输等多个领域,但其极大潜力的充分发挥要以充足的算力为基础,随着AI数据集更加大,计算机必须有更加强劲的内存承托。理想情况下,反对AI的存储设备不仅要有与静态随机存储器(SRAM)一样慢的速度,还要有类似于动态随机存储器(DRAM)或存储器的存储容量,更加最重要的是,它耗电要较低。但目前还没符合所有这些市场需求的存储技术,这造成了所谓的内存瓶颈,相当严重容许了当前AI的性能及应用于。

  为此,美国西北大学和意大利墨西拿大学的研究人员合作,将目标瞄向了反铁磁材料。反铁磁材料依赖磁性的有序磁矩来已完成数据存储,所遗数据也无法被外部磁场读取。

因其较慢安全性、耗电较低,被视作存储设备的潜力材料,而如何掌控材料内部磁序则沦为目前的一个研究难题。  在新的研究中,团队用于了柱状反铁磁材料,这是以前科学家未曾探寻过的几何形状。研究指出,生长在重金属层上的、直径较低至800纳米的反铁磁铂锰(PtMn)柱,通过极低电流后可以在有所不同的磁态之间共轭地切换。通过转变载入电流的振幅,才可构建多级存储特性。

  研究人员认为,基于反铁磁铂锰柱做成的存储器件仅有为现有的基于反铁磁材料存储设备的1/10,而更加最重要的是,新型器件的生产方法与现有的半导体生产规范相容,这意味著存储设备制造商可以精彩使用新技术,而需要出售新的设备。  研究人员认为,新型磁存储器件较小,耗电很低,未来将会使反铁磁存储器南北实际应用于,并协助解决问题AI的内存瓶颈问题。目前,他们于是以希望谋求更进一步增大设备尺寸,提高数据载入耗电的方法,以尽早将新技术投放实际应用于。


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